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Höhere Genauigkeit in Entwurf und Analyse kritischer Funktionen in integrierten digitalen N-MOS-LSI-Schaltungen durch genauere Schaltungssimulation und elektronenmikroskopische Potentialmessungen
HERNAUT, Krunoslav : -- Höhere Genauigkeit in Entwurf und Analyse -- kritischer Funktionen in integrierten digitalen -- N-MOS-LSI-Schaltungen durch genauere Schaltungs- -- simulation und elektronenmikroskopische Poten- -- tialmessungen. -- 1978. 200 S. -- Dortmund, Univ., Abt. Elektrotechn., Diss., 1978 -- 200