Über den Charge Pumping-Effekt bei MOS-Transistoren I. Untersuchung d. Zusammenhangs zwischen Grenzschichtzuständen u. Charge Pumping-Effekt bei MOS-Transistoren. II. Erweiterte Untersuchung d. differentiellen Charge Pumping-Effekts bei MOS-Transistoren

I tiakina i:
Ngā taipitopito rārangi puna kōrero
Kaituhi matua: Golder, Johannes
Hōputu: Pukapuka
Reo:Tiamana
I whakaputaina: Basel 1972
Ngā Tūtohu: Tāpirihia he Tūtohu
Kāore He Tūtohu, Me noho koe te mea tuatahi ki te tūtohu i tēnei pūkete!
Order eBook:
Order Book: Login to order

MARC

LEADER 00000nam a2200000 c 4500
001 530093
007 tu
041 |a ger 
100 1 |a Golder, Johannes 
245 1 0 |a Über den Charge Pumping-Effekt bei MOS-Transistoren  |b I. Untersuchung d. Zusammenhangs zwischen Grenzschichtzuständen u. Charge Pumping-Effekt bei MOS-Transistoren. II. Erweiterte Untersuchung d. differentiellen Charge Pumping-Effekts bei MOS-Transistoren 
246 3 |a GOLDER, Johannes 
264 1 |a Basel  |c 1972 
300 |a S.387-400; S.866-883  |c 8° 
500 |a GOLDER, Johannes: -- Über den Charge Pumping-Effekt bei MOS-Transistoren.I.Untersuchung d.Zusammenhangs zwischen Grenzschichtzuständen u.Charge Pumping-Effekt bei MOS-Transistoren.II.Erweiterte Untersuchung d.differentiellen Charge Pumping-Effekts bei MDS-Transistoren. - Basel 1972. -- S.387-400;S.S.866-883.8° -- Basel,phil.Diss.1971. -- Aus:Helvetica physic acta.44. -- 1974! -- B. 
852 |c D 136.733 
999 |a Dissertation 
591 |a description: Über den Charge PumpingEffekt bei MOSTransistoren. I.Untersuchung d.Zusammenhangs zwischen Grenzschichtzuständen u.Charge PumpingEffekt bei MOSTransistoren.II.Erweiterte Untersuchung d.differentiellen Charge PumpingEffekts bei MDSTransistoren. Basel 1972.S.3874oo S.S.866883.8Basel,phil.Diss.1971 .Aus:Helvetica physicaacta.44.1974 A B.  |a signature: D 136.733  |a author: GOLDER, Johannes  |a published: 1974