Das dielektrische Verhalten bei Höchstfrequenz von Germanium und Silizium im Eigenleitungs- und von Tellur im Fremdleitungsbereich.
Kaydedildi:
| Yazar: | |
|---|---|
| Materyal Türü: | Kitap |
| Dil: | Almanca |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Köln
1959
|
| Etiketler: |
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
| Order eBook: |
|
| Order Book: | Login to order |
Benzer Materyaller: Das dielektrische Verhalten bei Höchstfrequenz von Germanium und Silizium im Eigenleitungs- und von Tellur im Fremdleitungsbereich.
- Thermokraft verformten Germaniums und Siliziums.
- Lokalisierte Zustände in amorphem Germanium und Silizium.
- Elektrospinresonanz und Relaxation in amorphem Silizium und Germanium.
- Das anodische Verhalten von Tellur
- Das Reflexionsvermögen von Germanium- und Silizium-Einkristallen bei elastischer Deformation.
- Theoretische Bestimmung der Elektronenzustände von Versetzungen und Versetzungsdefekten in Silizium und Germanium.