Die Diffusität von Aluminium-, Gallium- und Indiumdotiertem Silizium im Temperaturbereich 20K bis 300 K.
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| Glavni autor: | |
|---|---|
| Format: | Knjiga |
| Jezik: | njemački |
| Izdano: |
1983
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Slični predmeti: Die Diffusität von Aluminium-, Gallium- und Indiumdotiertem Silizium im Temperaturbereich 20K bis 300 K.
- Photoakustische Spektroskopie an Festkörpern im Temperaturbereich 4.2K<T≤300K.
- Über den stationären und instationären Wärmetransport in Quarzglas im Temperaturbereich von 0,4 K bis 300 K.
- Die Aluminium-Ecke des Dreistoffsystems Aluminium-Nickel-Silizium.
- Über das System Aluminium-Kalzium-Silizium.
- Transport- und Rekombinationseigenschaften von Gallium-dotiertem Silizium in Abhängigkeit vom Kompensationsgrad.
- Anisotropic X-RAY K Absorption in single crystals of gallium and cadmium.