Über die Lösungszonenzüchtung von GaAs- und InP-Einkristallen und deren Charakterisierung mit besonderer Berücksichtigung der Eigendefekte in GaAs.
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Мова: | Німецька |
| Опубліковано: |
Erlangen
1986
|
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Order eBook: |
|
| Order Book: | Login to order |
Схожі ресурси: Über die Lösungszonenzüchtung von GaAs- und InP-Einkristallen und deren Charakterisierung mit besonderer Berücksichtigung der Eigendefekte in GaAs.
- Tunnelexperimente auf GaAs-GaA1As Feldeffekttransistoren.
- Photolumineszenzuntersuchungen an Exzitonen in hochreinem GaAs.
- Smith-Purcell-Effect in GaAs/GaAlAs Heterostrukturen
- Untersuchungen der Zyklotronresonanz an GaAs/AlGaAs Heterostrukturen.
- Tunnelspektroskopie an GaAs- und GaSb-Schottky-Kontakten.
- Negative FIR-Photoleitung in n-GaAs.