Elektronische Haftstellen im Bereich der SiO2-Si Grenzfläche
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| Natura: | Libro |
| Lingua: | tedesco |
| Pubblicazione: |
1984
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MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 861210 | ||
| 007 | tu | ||
| 008 | 840101s1984 gw 000 0 ger | ||
| 041 | |a ger | ||
| 100 | 1 | |a Hofmann, Karl | |
| 245 | 1 | 0 | |a Elektronische Haftstellen im Bereich der SiO2-Si Grenzfläche |
| 246 | 3 | |a H o f m a n n, Karl: Elektronische Haftstellen im Bereich der SiO2-Si Grenzfläche. | |
| 264 | 1 | |c 1984 | |
| 300 | |a 158 S. |c 8° | ||
| 500 | |a D 205.546 -- H o f m a n n, Karl: Elektronische Haftstellen -- im Bereich der SiO2-Si Grenzfläche. -- 1984. 158 S. 8° -- Erlangen,Nürnberg,Univ.,Nat.Fak.I,Diss. | ||
| 710 | 2 | |a Universität Erlangen-Nürnberg | |
| 852 | |c D 205.546 | ||
| 999 | |a Dissertation | ||
| 591 | |a description: Elektronische Haftstellen im Bereich der Si 1984. 158 S, 8PErlangen,Nürnberg,Univ.,Nat.Fak.I,Dissim Bereich der Si02Si Grenzfläche. |a signature: D 205.546 |a author: Hofmann, Karl |a published: 1984 | ||