Elektronische Haftstellen im Bereich der SiO2-Si Grenzfläche
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| Autor Principal: | |
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| Autor Corporativo: | |
| Formato: | Libro |
| Idioma: | alemán |
| Publicado: |
1984
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| descrición da copia: | D 205.546 -- H o f m a n n, Karl: Elektronische Haftstellen -- im Bereich der SiO2-Si Grenzfläche. -- 1984. 158 S. 8° -- Erlangen,Nürnberg,Univ.,Nat.Fak.I,Diss. |
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| Descrición Física: | 158 S. 8° |