Beiträge zur Kohlenstoffkettenverlängerung über polarisierte Si-C und Si-O Verbindungen.

Ítems similars

• Si-Si-Synthesen über Si-Hg-Verbindungen
  per: Staude, Eberhard
  Publicat: (1961)
• Elektronische Haftstellen im Bereich der SiO2-Si Grenzfläche
  per: Hofmann, Karl
  Publicat: (1984)
• Charge Trapping near the Si/SiO2 interface in semiconductor devices.
  per: HILLEN, Michiel Wouter
  Publicat: (1981)
• Einschlussverbindungen von SiO2
  per: Gies, Karl Hermann
  Publicat: (1982)
• Untersuchungen an SiO2-Oberflächen
  per: Janssen, Klaus
  Publicat: (1976)