Höhere Genauigkeit in Entwurf und Analyse kritischer Funktionen in integrierten digitalen N-MOS-LSI-Schaltungen durch genauere Schaltungssimulation und elektronenmikroskopische Potentialmessungen.
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Médium: | Kniha |
| Jazyk: | němčina |
| Vydáno: |
Dortmund
Univ., Abt. Elektrotechn.
1978
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| Tagy: |
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MARC
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