Höhere Genauigkeit in Entwurf und Analyse kritischer Funktionen in integrierten digitalen N-MOS-LSI-Schaltungen durch genauere Schaltungssimulation und elektronenmikroskopische Potentialmessungen.
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Dortmund
Univ., Abt. Elektrotechn.
1978
|
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
| eBook bestellen: |
|
| Buch ausleihen: | zum Bestellen einloggen |
| Beschreibung: | HERNAUT, Krunoslav : -- Höhere Genauigkeit in Entwurf und Analyse -- kritischer Funktionen in integrierten digitalen -- N-MOS-LSI-Schaltungen durch genauere Schaltungs- -- simulation und elektronenmikroskopische Poten- -- tialmessungen. -- 1978. 200 S. -- Dortmund, Univ., Abt. Elektrotechn., Diss., 1978 -- 200 |
|---|---|
| Beschreibung: | 200 S. |