Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt.
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Sách |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Đức |
| Được phát hành: |
Dortmund
Univ., Abt. Elektrotechnik
1978
|
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Order eBook: |
|
| Order Book: | Login to order |
Những quyển sách tương tự: Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt.
- Über den Charge Pumping-Effekt bei MOS-Transistoren I. Untersuchung d. Zusammenhangs zwischen Grenzschichtzuständen u. Charge Pumping-Effekt bei MOS-Transistoren. II. Erweiterte Untersuchung d. differentiellen Charge Pumping-Effekts bei MOS-Transistoren
- Modellierung und Netzwerkanalyseprogramm für MOS-Schaltungen mit hoher Leistungsfähigkeit.
- Transistoren
- Modellierung, Entwurf und Untersuchung von MOS-Operationsverstärkern für die Großintegration
- Transistoren Fundamentals of transistors [Deutsch]
- Transistoren. Physikalische Grundlagen und Eigenschaften.