Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt.
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Мова: | Німецька |
| Опубліковано: |
Dortmund
Univ., Abt. Elektrotechnik
1978
|
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Order eBook: |
|
| Order Book: | Login to order |
Будьте першим, хто залишить коментар!