Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt.
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Dortmund
Univ., Abt. Elektrotechnik
1978
|
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
| eBook bestellen: |
|
| Buch ausleihen: | zum Bestellen einloggen |
| Beschreibung: | GABLER, Lutz : -- Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt. -- 1978. 160 S. -- Dortmund, Univ., Abt. Elektrotechnik, Diss., 1978 -- 200 |
|---|---|
| Beschreibung: | 160 S. |