Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt.
-д хадгалсан:
| Үндсэн зохиолч: | |
|---|---|
| Формат: | Ном |
| Хэл сонгох: | герман |
| Хэвлэсэн: |
Dortmund
Univ., Abt. Elektrotechnik
1978
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| Шошгууд: |
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!
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MARC
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