Charge Trapping near the Si/SiO2 interface in semiconductor devices.
I tiakina i:
| Kaituhi matua: | |
|---|---|
| Hōputu: | Pukapuka |
| Reo: | Ingarihi |
| I whakaputaina: |
Groningen
1981
|
| Ngā Tūtohu: |
Kāore He Tūtohu, Me noho koe te mea tuatahi ki te tūtohu i tēnei pūkete!
|
| Order eBook: |
|
| Order Book: | Login to order |
Ngā tūemi rite: Charge Trapping near the Si/SiO2 interface in semiconductor devices.
- Einschlussverbindungen von SiO2
- Untersuchungen an SiO2-Oberflächen
- Physics and technology of semiconductor devices
- Elektronische Haftstellen im Bereich der SiO2-Si Grenzfläche
- Untersuchung der optischen Eigenschaften von SiO-Aufdampfschichten und von verschiedenen stark oxydierten Siliziumschichten zwischen Si und SiO2.
- Untersuchungen in Dreistoffsystem Na2O-SiO2-ZrO2